سامسونگ تولید انبوه تراشههای ۱.۴ نانومتری را به تعویق انداخت
به گزارش خبرگزاری آنا؛ گام بعدی سامسونگ در این مسیر، معرفی گره پردازشی SF۲P است که طبق دادههای فنی، کاهش ۲۶ درصدی مصرف انرژی و افزایش ۱۵ درصدی فرکانس کاری پردازنده را به همراه خواهد داشت. شین جونگ شین، مدیر ارشد بخش توسعه پلتفرمهای طراحی در سامسونگ فاندری، در سخنرانی خود اعلام کرد که بخش عمدهای از این بهبود عملکرد، به تنهایی حاصل کوچکسازی فیزیکی نیست؛ بلکه بیش از نیمی از این دستاورد از طریق پیادهسازی متدولوژی نوین DTCO حاصل شده است.
رویکرد همطراحی سختافزار و معماری نوین حافظههای پیشرفته SRAM
فناوری DTCO یا «بهینهسازی همزمان طراحی و فرآیند ساخت»، یک رویکرد نوین در مهندسی نیمههادی است که مرزهای سنتی میان طراحی مدار و متدولوژی ساخت لایههای سیلیکونی را از بین میبرد. کار روی این دو مرحله به صورت همزمان، امکان خلق تراشههایی بسیار بهینهتر با سرعت بالاتر، مصرف انرژی کمتر و حتی پایداری در هزینههای تولید را فراهم میآورد. طبق نقشه راه اعلامشده، گرههای بعدی یعنی SF۲P+ (با هدفگذاری تولید انبوه بین سالهای ۲۰۲۷ تا ۲۰۲۸) و نسخه اختصاصی هوش مصنوعی موسوم به SF۲X، گامهای بعدی تکامل این بستر خواهند بود.
بخش دیگری از استراتژی سامسونگ بر توسعه فناوری حافظههای SRAM متمرکز شده است که به عنوان ثباتهای پردازنده و حافظه کش پردازندهها نقشی کلیدی در محاسبات سریع دارند؛ معماری ویژهای که اگرچه فضای فیزیکی بسیار بیشتری نسبت به DRAM اشغال میکند (نیاز به ۶ ترانزیستور برای هر بیت داده در مقایسه با ۱ ترانزیستور در DRAM)، اما برای شتابدهندههای هوش مصنوعی حیاتی است. سامسونگ در حال حاضر با همکاری شرکت گروک مشغول توسعه یک شتابدهنده مدلهای زبانی بزرگ با حافظه کش خیرهکننده ۵۰۰ مگابایتی بر پایه گره ۴ نانومتری است و تولید پردازنده «REBEL-۱۰۰» متعلق به استارتاپ ریبلیونز را نیز بر همین مبنا پیش میبرد.
تغییر زمانبندی گره ۱.۴ نانومتری و تشدید رقابت با شرکتهای سیلیکونولی
سامسونگ پس از عبور از نسلهای مختلف فناوری ۲ نانومتری، تغییر فرآیند به سمت گرههای فوقپیشرفته زیر ۲ نانومتر را با معرفی گره SF۱.۴ آغاز خواهد کرد. تولید انبوه و تجاری تراشههای مبتنی بر لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری اکنون برای سال ۲۰۲۹ هدفگذاری شده است و نسخه تکاملیافته آن یعنی SF۱.۴+ در سال ۲۰۳۰ به خطوط تولید خواهد رسید؛ این در حالی است که پیش از این سامسونگ سال ۲۰۲۷ را برای این جهش در نظر گرفته بود، اما به منظور پایداری و بهبود نرخ بازدهی تراشههای ۲ نانومتری، برنامههای خود را به تعویق انداخت.
این بازنگری در زمانبندی، آرایش جنگی شرکتهای نیمههادی را در اواخر دهه جاری میلادی دستخوش تغییر خواهد کرد. در حالی که شرکت اینتل تولید گرههای مشابه (سری ۱۴A) را برای سال ۲۰۲۷ برنامهریزی کرده و شرکت TSMC تایوان نیز ورود به قلمرو ۱.۴ نانومتری را با معماری A۱۴ در سال ۲۰۲۸ هدف قرار داده است، سامسونگ با تمرکز بر پایداری اکوسیستم داخلی و توسعه شاسیهای هوشمندِ طراحی، تلاش میکند سهم کلیدی خود را از زنجیره تأمین پردازندههای نسل بعدی هوش مصنوعی و مشتریان بزرگی نظیر انویدیا حفظ کند.
انتهای پیام/
