آخرین اخبار:
پیشنهاد سردبیر
سکوت در برابر ترور، فریاد برای استعفا؛ چرا رگ سلبریتی‌ها گزینشی می‌جنبد؟

واکاوی استاندارد‌های دوگانه در مواجهه با تهدیدات امنیت ملی 

کدام شیوه کالابرگ به نفع شماست؟

جزئیات جدید از توزیع سبد کالای رایگان درب منزل 

آقای موسوی! دقیقاً کجای تاریخ ایستاده‌اید؟

از نخست‌وزیری امام (ره) تا پژواک پهلوی| بیانیه‌ای برای «هیچ»

23:23 17 / 11 /1404

تراشه پرچمدار کوالکام با فناوری خنک‌کننده سامسونگ عرضه می‌شود

رقابت‌های سنتی در دنیای سخت‌افزار جای خود را به همکاری‌های فنی داده است و گزارش‌های جدید نشان می‌دهد پردازنده اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ برای مدیریت حرارت و جلوگیری از افت عملکرد گوشی‌های هوشمند، از فناوری اختصاصی HPB سامسونگ بهره خواهد برد.

کوالکام قصد دارد یکی از چالش‌های اصلی تراشه‌های موبایل یعنی گرما را با راهکاری از اردوگاه رقیب مرتفع سازد. افشاگران چینی اعلام کرده‌اند که نسل بعدی پردازنده‌های پرچمدار این شرکت آمریکایی به قطعه‌ای سخت‌افزاری مجهز می‌شوند که پیش‌تر توسط سامسونگ برای تراشه‌های اگزینوس توسعه یافته بود. این فناوری که بلوک انتقال حرارت (HPB) نام دارد، می‌تواند مسیر انتقال گرما از هسته مرکزی پردازنده به سیستم خنک‌کننده گوشی را تسهیل کند و مانع از کاهش فرکانس کاری پردازنده در فشار‌های پردازشی سنگین شود.

HPB یک قطعه کوچک و با رسانایی حرارتی بالاست که مستقیماً روی بسته‌بندی تراشه نصب می‌شود. ساختار این قطعه به گونه‌ای طراحی شده که برخلاف روش‌های معمول که گرما در اطراف تراشه محبوس می‌شود، یک مسیر کم‌مقاومت برای عبور حرارت به سمت محفظه بخار و لایه‌های گرافیتی گوشی ایجاد کند. کاهش مقاومت حرارتی میان محل اتصال تراشه و بدنه، باعث می‌شود دمای نقطه اوج کاهش یابد و پردازنده بتواند مدت زمان بیشتری را بدون نیاز به کاهش سرعت به فعالیت بپردازد.

آزمایش‌ها نشان داده‌اند که گوشی‌های پرچمدار اندرویدی فعلی در صورت اجرای مداوم برنامه‌های سنگین، با افزایش شدید دما مواجه می‌شوند. بررسی بنچمارک‌هایی نظیر ۳DMark Wild Life Extreme حاکی از آن است که پایداری عملکرد در بسیاری از گوشی‌های مدرن پس از مدتی بین ۲۰ تا ۴۰ درصد کاهش می‌یابد. راهکار‌های نرم‌افزاری و تنظیم ولتاژ تاکنون نتوانسته‌اند این مشکل را به‌طور کامل حل کنند و به همین دلیل استفاده از یک راهکار فیزیکی در سطح بسته‌بندی تراشه اهمیت دوچندانی پیدا کرده است.

تراکم بالای ترانزیستور‌ها در لیتوگرافی‌های پیشرفته ۳ نانومتری شرکت TSMC باعث شده تا نقاط داغ در ابعاد بسیار کوچک ایجاد شوند. مهندسان سخت‌افزار معتقدند که مسیر‌های دفع حرارت در داخل بدنه گوشی به گلوگاه اصلی تبدیل شده‌اند. سامسونگ پیش از این استفاده از HPB را در تراشه اگزینوس ۲۶۰۰ آغاز کرده بود و حالا به نظر می‌رسد کوالکام نیز برای حفظ رقابت‌پذیری و ارائه عملکرد پایدار، تصمیم گرفته است از این فناوری استفاده کند. این موضوع نشان می‌دهد که اولویت سازندگان تراشه از صرف اعداد و ارقام تبلیغاتی، به سمت پایداری واقعی عملکرد در استفاده‌های طولانی‌مدت تغییر کرده است.

پیاده‌سازی این فناوری در تراشه‌های ساخت TSMC نیازمند هماهنگی‌های دقیق مهندسی است. شرکت‌های بسته‌بندی تراشه باید مواد و اتصالات جدید را تایید کنند و سازندگان موبایل نیز مجبور خواهند بود طراحی داخلی گوشی، از جمله ضخامت محفظه بخار و چیدمان قطعات را با ارتفاع جدید تراشه تطبیق دهند. انتظار می‌رود این تغییرات ابتدا در مدل‌های اولترا یا گوشی‌های مخصوص بازی که فضای داخلی بیشتری دارند، مشاهده شود.

کاربران با بهره‌گیری از این فناوری می‌توانند تجربه کاربری روان‌تری را در بازی‌های گرافیکی و پردازش‌های هوش مصنوعی تجربه کنند. کاهش دمای داخلی گوشی نه تنها نرخ فریم بازی‌ها را ثابت نگه می‌دارد، بلکه از فرسایش شیمیایی باتری که ناشی از گرمای زیاد است جلوگیری می‌کند. شواهد نشان می‌دهد که اگر کوالکام موفق به پیاده‌سازی این طرح شود، نسل بعدی گوشی‌های هوشمند بدون نیاز به افزایش ضخامت بدنه یا استفاده از فن‌های خنک‌کننده پرمصرف، عملکردی پایدارتر ارائه خواهند داد.

انتهای پیام/

ارسال نظر